制备一款设备时，要考虑到整体设备所运用的环境。瞬态抑制二极管小且易损坏，电子产品中又不可缺少，所以要求在制备时加以小心。将质量提升的同时提高保护措施，增加产品的防静电处理以防产品耐不住摩擦耐不住高温损伤本体，那么，瞬态抑制二极管是如何制备的？

一、光刻技术刻蚀出杂质扩散窗口

在晶圆上生长一层氧化层对其进行保护，瞬态抑制二极管贴片氧化层生成之后便利用光刻技术刻蚀出杂质扩散窗口，光刻技术是利用光刻胶感光后因光化学反应而改变耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到硅表面上。

二、扩散

光刻之后是扩散，扩散的目的是将一定可控量的杂质原子掺入到半导体中，以改变被扩散区域的导电类型。扩散的方法有很多，如离子注入、旋涂掺杂和化学气相沉积，以及低压器件使用的铝合金技术。退火之后，PN结的分布轮廓便固定下来，PN结的分布轮廓决定于衬底掺杂浓度、杂质剂量以及退火温度和退火时间等因素，它决定了器件的电学特性。

三、进行吸气处理

PN结形成之后要进行吸气处理，这可以移除扩散区域硅表面的污染物质，有利于改善器件的可靠性和漏电流特性。硅表面清理干净后接着进行二次光刻，刻蚀出金属淀积窗口。金属淀积采用超高真空电子束蒸镀方法，具体淀积类型取决于瞬态抑制二极管选型的封装形式。硅片减薄处理后背部金属淀积也是采用超高真空电子束蒸镀方法。末后对测试之后的晶圆进行划片、封装测试以及电性能检查，便得到了瞬态抑制二极管成品。

制备好的产品供给客户挑选，依照自身条件性能挑选给合适的客户。抓住次重点进行产品区分，根据电子产品设置配件的不同，选取合适大小的物件进行匹配。而且如果大型产品进行选购时，要综合性考虑产品的性能组成，防止滥竽充数。