有些物品体积小但是用处大，瞬态抑制二极管小小体积既可以防止电流的泄漏，又可以有效阻止一些不良信号的传入。但是娇小的受力面积狭窄就容易导致损坏，使用时倍加小心。既要根据周围适度的环境也要留心注意损坏零件，那么，在封装制作瞬态抑制二极管时需要注意什么工艺？

一、晶粒在划片工序中对芯片缺口的敏感度高

由于硅材料有很大的脆性，在划片工序中如因工艺参数设定不合理或遇设备故障，瞬态抑制二极管电路图往往会在芯片底部出现缺口和裂纹，器件的结面积非常大，因此不同于点接触型结，其被裂口破坏的几率更大，受损的结极易出现漏电流增加进而导致器件工作性能下降，故在划片工序中需要更高的工艺管控水平。

二、晶粒在贴片工序中对银浆固化后产生的空洞敏感度高

芯片与引线框架直接接触的电极需要形成良好的欧姆接触，银浆由于助焊剂等填料的存在，其固化过程中会或多或少地产生气泡，过大的空洞会减小电极与引线框架之间的接触面积，这样间接拉高了接触电阻和热阻，过高的接触电阻会降低器件对大电流的泄放性能。

三、晶粒在线焊工序中对键合点的可靠性敏感度高

不同于普通小信号器件，瞬态抑制二极管贴片工作环境更加恶劣，在承受尖峰电压冲击的过程中，引线焊点会有大电流通过，故焊点的剪切力过低、过度生长会严重拉高器件内部焊点的接触阻抗，管体承受大电流的冲击耐受能力下降。

大家都在具有用电的常识，在生活中一些电路或者电流甚至是信号接收器都要避免潮湿的环境进行储存。瞬态抑制二极管也不例外，在制作好封装完毕后，尽可能地避免不良环境导致零件受损，更换零件也是浪费时间的。安全首要位，平安千万家。