ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热（火花）效应（如静电引起的着火与爆炸）和电磁效应（如电磁干扰）等的学科。

近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，对静电放电的电磁场效应如电磁干扰（EMI）及电磁兼容性（EMC）问题越来越重视。

瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）简称TVS管，TVS管的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及芯片阻值决定的。其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级电源和信号电路的保护，以及防静电等。

其特点为反应速度快(为ps级)，体积小，脉冲功率较大，箝位电压低等。其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。

肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

MOS管具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等特点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

MOS管的作用：

MOS管可应用于放大，由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器；

MOS管可以用作电子开关；

MOS管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换；

MOS管可以用作可变电阻，MOS管可以方便地用作恒流源。

DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随着集成度的提高，许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。

低压差稳压器（Low-dropout regulator，LDO），又称低压差线性稳压器、低压降稳压器，是线性直流稳压器的一种，用途同是提供稳定的直流电压电源。

相比于一般线性直流稳压器，低压差稳压器能于更小输出输入电压差的情况下工作。