瞬态抑制二极管器件的选择相信大家都有所了解，但是对于其是和其他二极管的区别却不甚了解。瞬态抑制二极管串联的作用以及优势也了解不多，瞬态抑制二极管是双向设备的对称击穿电压通常在差分输入或输出放大器中具有更好的声音性能。下面一起来了解一下瞬态抑制二极管和其他二极管的区别有哪些？

1、保护范围和应用不同

瞬态抑制二极管管具有较高的浪涌额定值，但相对较大的电容使其更适合于负载开关和直流电源总线。相反二极管阵列的中等浪涌额定值和小电容适合于保护高速数据线。瞬态抑制二极管和二极管阵列经常相互替换，但是某些电路需要仔细分析才能选择合适的器件。

2、具有不同击穿电压

具有不同击穿电压（VBR）的单向和双向瞬态抑制二极管在特定应用中具有不同的优势。单向器件的偏置击穿电压为VBR，正向偏置击穿电压为二极管的正向电压（VF）。相反，双向设备的击穿电压为VBR。对于负浪涌电压，单向设备的低击穿电压通常是DC电源线和单电源集成电路的优势。

3、保护范围不同

外部和内部集成电路的比较保护电路理想的外部TVS设备将吸收浪涌脉冲的所有能量，但是浪涌电流能量的一部分可能会通过集成电路的内部保护电路。瞬态抑制二极管将电流限制到内部保护电路的一种选择是使用串联电阻。内部保护电路可避免组装期间的ESD故障，然而保护装置的尺寸相对较小，这限制了其承受正常产品使用期间发生的电涌的能力。

总而言之，瞬态抑制二极管和其他二极管的区别有保护范围和应用不同也具有不同击穿电压和保护范围。瞬态抑制二极管区别于其他二极管的是其浪涌能力与其大小成正比，并且在集成电路中需要大型保护器件是不切实际的。当有电流通过二极管阵列流经数据线的路径时发生，则数据线可能会为其提供电源。