小鹏 MONA M03 曝光,晶扬电子推出新型高速接口ESD保护器件TT0374SP-HFx

小鹏汽车MONA系列的首款车型已正式命名为“M03”,预计在今年第三季度与大家见面。近期,这款新车的实车照片已在网上广泛传播,引发了广泛关注。

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小鹏 MONA M03


从此次曝光的照片中,我们可以看到一款米色车漆的M03,其尾灯设计尤为引人注目。与传统的贯穿式尾灯不同,M03采用了与前大灯相呼应的T字形尾灯设计,整体造型独特且极具辨识度。

据官方透露,M03的风阻系数仅为Cd 0.194,这一数据足以使其傲视群雄,被誉为“全球最低风阻的量产纯电掀背轿车”。这一成绩不仅体现了小鹏汽车在车辆设计上的精湛技艺,更预示着这款车型在续航和动力性能上的卓越表现。

晶扬 02

小鹏 MONA M03


在车身尺寸方面,小鹏汽车已公布了M03的详细数据:车身长4780mm,宽1896mm,高1445mm,轴距长达2815mm。此外,其宽高比、长高比、胎高比以及a/b比例均经过精心计算,分别为1.31、3.31、0.47和约0.618,这些数据不仅保证了车辆的稳定性和舒适性,更彰显了小鹏汽车在设计上的精益求精。

在2024年的VLSI峰会上,SK海力士展示了其在3D DRAM技术领域的重大进展。据BusinessKorea报道,SK海力士的五层堆叠3D DRAM内存良率已经达到了56.1%,这一成果标志着3D DRAM技术向商业化迈进了重要一步。与传统的2D DRAM相比,3D DRAM通过垂直堆叠存储单元,能够在相同的空间内实现更高的存储密度,这对于提升内存性能和缩小设备尺寸具有重要意义。

晶扬 03

SK海力士 3D DRAM技术


然而,SK海力士也指出,3D DRAM在性能稳定性方面存在挑战。与2D DRAM相比,3D DRAM需要更多的层数来实现其稳定性和可靠性。为了达到广泛应用的标准,3D DRAM可能需要堆叠32到192层的存储单元。这一技术难题的克服将是3D DRAM技术发展的关键。

尽管目前3D DRAM技术仍处于研发阶段,但其潜力已经得到了业界的广泛认可。随着技术的不断成熟和优化,预计3D DRAM将在不久的将来为电子设备带来革命性的改变,特别是在移动设备和高性能计算领域。


晶扬电子针对高速信号传输接口,如USB3.1、USB3.2、Thunderbolt、HDMI2.0等信号线,推出了一款全新的ESD保护器件——TT0374SP-HFx,旨在有效防止静电放电/浪涌对设备的损坏。

TT0374SP-HFx的优势显著,主要体现在以下几个方面:

首先,为确保通过高速信号数据传输的完整性,TT0374SP-HFx具有超低的电容特性。在VR=0V,f = 1MHz的测试条件下,其IO-GND容值低至0.26 pF,从而确保了信号传输的流畅性和高保真度。

其次,TT0374SP-HFx采用了晶扬电子独有的深回滞前沿专利技术。这一技术使得该器件具有较低的钳位电压(在8/20μs测试波形下,IPP=7A时,Vc=6.6 V)。相比于普通的无回滞和浅回滞器件,深回滞器件能为电路提供更优越的保护性能,有效防止静电放电对电路造成损害。

此外,TT0374SP-HFx还具有较高的ESD耐受能力。它能承受IEC 61000-4-2测试标准下的14kV接触放电和15kV空气放电的ESD冲击,为设备提供了坚实的保护屏障。

最后,TT0374SP-HFx的外形设计小巧,采用四通路的集成阵列式DFN2510封装。这种封装方式不仅最大限度地减少了在PCB上所占用的空间,还降低了整体成本,使得该器件成为高速信号传输接口的理想选择。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”科技企业,深圳知名品牌,广东省制造业单项冠军产品。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE,分别在成都和加拿大设立有研发中心,并拥有多家全资子公司和控股公司,拥有近百项有效专利等知识产权,深圳知名品牌“电路与系统保护专家”

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小鹏 MONA M03 曝光

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