高通骁龙 8 Gen 4 芯片在频率设定上采取了更为激进的策略，其自研超大核频率达到了惊人的 4.2GHz。

骁龙8 Gen 4

据行业内部消息透露，手机厂商在实验室样机测试中，使用GeekBench6跑分软件对骁龙 8 Gen 4 进行了测试，结果显示单核性能高达三千分，多核性能更是突破一万分，这一成绩无疑给同为旗舰芯片的联发科天玑 9400（MT6991）带来了不小的压力。

与上一代的骁龙 8 Gen 3 相比，骁龙 8 Gen 4 的单核性能提升了35.5%，多核性能也提升了33.9%，这样的提升幅度足以让业界瞩目。

骁龙8 Gen 4

更值得一提的是，高通公司正在对骁龙 8 Gen 4 处理器进行重新设计，并设定了新的目标频率——4.26GHz。这一变化旨在应对苹果即将推出的M4、A18以及Pro系列处理器的竞争压力，确保骁龙 8 Gen 4 在高端手机市场中的领先地位。

高通公司对重新设计的骁龙 8 Gen 4 处理器充满信心，他们认为凭借台积电的3纳米“N3E”工艺，骁龙 8 Gen 4 有望达到甚至超越预期的目标频率，为消费者带来更为出色的性能和体验。

6月4日清晨7时38分，嫦娥六号上升器搭载着月球背面的样品成功从月球表面起飞。搭载3000N发动机的上升器经过约6分钟的精准工作，成功将自身送入预定的环月轨道。此次任务标志着人类历史上首次实现了从月球背面采样并返回的壮举。

嫦娥六号

在月球背面南极-艾特肯盆地的采样过程中，嫦娥六号展现出了卓越的智能快速采样能力。经过精密的操作，珍贵的月球背面样品被成功封装并存放在上升器携带的专用贮存装置中。

为了确保采样和封装过程的顺利进行，科研人员在地面的实验室里，根据鹊桥二号中继星实时传回的探测器数据，对采样区的地理模型进行了精确的仿真，并模拟了采样过程。这些仿真和模拟工作为采样决策以及各个环节的操作提供了重要的技术支持和决策依据。

手机使用ESD（静电放电）保护器件的原因主要有以下几点：

防止静电损害：静电放电可能导致手机电路中的瞬态电压升高，从而损坏或破坏器件和电路结构。ESD保护器件能够吸收和分散静电放电的能量，保护手机电路不受损害。

提供短路路径：ESD保护器件通常与地连接，当静电放电发生时，它们提供了一条低阻抗的路径，将静电放电能量迅速引导到地，防止其通过电路流过敏感器件。

提高产品稳定性和可靠性：通过引入ESD保护器件，手机可以更加稳定地工作，减少因静电放电导致的故障和失效问题。

具体来说，手机中的ESD保护器件可以针对以下ESD失效原因提供防护：

外观有开孔或内部有敏感ESD器件时，ESD保护器件可以提供必要的保护。

当电子件、电子结构件、结构内置和外观五金件未接地时，ESD保护器件可以通过与地连接提供保护。

在硬件电路未加ESD保护的情况下，ESD保护器件可以直接并联于电路中，提供必要的防护。

此外，根据ANSI/ESD S20.20或对应的IEC 61340-5-1标准，手机制造商在生产过程中会制定ESD控制计划，以确保手机元件在制造和组装过程中免受潜在的ESD危害。这些控制计划通常包括使用符合标准的ESD保护器件。

综上所述，手机使用ESD保护器件是为了保护其电路和器件免受静电放电的损害，提高产品的稳定性和可靠性。

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