卢伟冰揭秘小米14系列与K70系列热销秘密！他们专注对标iPhone，历经三代，终于取得突破性进展，“三年磨一剑”，这是高端市场的跨越时刻！

小米14系列超轻薄，玻璃版重193g，科技纳米皮版更轻，仅188g！采用6.36英寸OLED柔性直屏，搭载高通骁龙8 Gen 3处理器，主频率为3.3GHz的八核处理器。最高为1TB UFS 4.0高速存储。

采用徕卡光学Summilux镜头，有黑色、白色、岩石青、雪山粉四种可选。

K70系列

如追求轻薄设计与大屏幕？小米14系列是不二之选！钟爱拍照与游戏性能？预算有限，K70系列满足你！

小米14（8GB/256GB）售价3999元；红米K70（12GB/256GB）更是惊喜价2499元！

华为nova 12手机

华为nova 12手机将于12月26日发布！

是否真能在发布会一睹真容？网友却说线下已开启预订了，有些华为专柜可预订，你期待吗？

在电子电路设计中，二极管和MOS管是两种非常重要的元件。它们各自具有独特的参数和特性，能够满足各种不同的电路需求。本文将详细介绍一些常见的二极管参数和MOS管型号，以帮助您在电路设计中做出更好的选择。

手机、电脑、平板电路设计指南：精选二极管参数与MOS管型号

在为手机、电脑和平板等设备进行电路设计时，选择合适的二极管参数和MOS管型号至关重要。电压降、电流能力、开关速度等参数直接影响到电路的性能和稳定性。本文将为您提供有关二极管参数和MOS管型号选择的实用建议，以帮助您满足设备需求并提高电路性能。

二、二极管参数

1、电压降：二极管的电压降取决于其材料和电流，一般从几百毫伏到几伏不等。例如，硅二极管的电压降约为0.6V左右，而锗二极管的电压降约为0.3V左右。根据电路需求选择合适的电压降可以降低功耗和提高效率。

2、电流能力：二极管的电流能力取决于其规格和型号，一般从几毫安到几百安培不等。例如，普通整流二极管的电流能力为几十毫安到几百毫安不等，而大功率整流二极管的电流能力可达几百安培。根据电路需求选择合适的电流能力可以确保电路的正常运行和可靠性。

3、开关速度：二极管的开关速度较慢，通常在毫秒级别。例如，普通整流二极管的开关速度为几十毫秒左右，而高速二极管的开关速度可达几十纳秒左右。根据电路需求选择合适的开关速度可以提高电路的运行速度和效率。

4、正向压降：二极管的正向压降取决于其材料和电流，一般从几百毫伏到几伏不等。例如，普通硅整流二极管的正向压降约为0.7V左右，而肖特基二极管的正向压降较低，约为0.3V左右。根据电路需求选择合适正向压降可以降低功耗和提高效率。

5、反向击穿电压：二极管的反向击穿电压取决于其材料和结构，一般从几十伏到几百伏不等。例如，普通硅整流二极管的反向击穿电压为几十伏左右，而高压硅整流二极管的反向击穿电压可达几千伏左右。根据电路需求选择合适的反向击穿电压可以确保电路的安全性和稳定性。

三、MOS管型号

1、N沟道MOS管:N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管，因为其导通电阻小，且容易制造;NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。因为内阻小特点，通常工作大电流地方使用；常见的型号有TNM03K20B、TNM3020J等。

2、P沟道MOS管：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压;PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因。通常工作在小电流地方使用；常见的型号有JY2301、JY3407A等。

3、IGBT管:IGBT又称为绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。广泛应用在电子行业的一个重要器件。IGBT具有高频率、已与切换等性能，在工业领域、汽车驱动、消费电子行业，常见的型号有JY9435M、Y9425A等

四、选择建议

在选择二极管和MOS管时，需要根据具体的电路需求来考虑其参数。例如，如果需要高速开关动作，可以选择具有较低开关速度的MOS管；如果需要驱动大电流，可以选择具有较高电流能力的二极管。同时，还需要注意元件的耐压、耐流能力以及温度特性等因素对电路性能的影响。此外，还需要根据电路的具体需求来选择合适的二极管参数和MOS管型号。例如，在电机控制电路中需要选择具有高电压、大电流、高效率的IGBT管；在电源转换电路中需要选择具有低电压降、高正向压降的肖特基二极管等。

五、深圳市晶扬电子的MOS管特点

深圳市晶扬电子的MOS管具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等特点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

六、总结

本文为您提供了关于手机、电脑和平板电路设计中二极管参数和MOS管型号选择的实用建议。希望能够帮助您在电路设计中更好地选择和使用这两种元件，以满足您的需求并提高电路的性能。同时，也需要注意元件的耐压、耐流能力以及温度特性等因素对电路性能的影响。此外，还需要根据电路的具体需求来选择合适的二极管参数和MOS管型号。深圳市晶扬电子的MOS管具有一系列优秀特点，可为您的电路设计提供有力支持。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”科技企业,深圳知名品牌,广东省制造业单项冠军产品。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE,分别在成都和加拿大设立有研发中心,并拥有多家全资子公司和控股公司,拥有近百项有效专利等知识产权,深圳知名品牌“电路与系统保护专家”。

如需产品规格书及领样品请联系

客服电话:19867705160

邮箱:market@jy-electronics.com.cn

官网:www.jy-electronics.com.cn