8月28日realme GT 5来袭。惊爆亮相realme GT 5骁龙8 Gen 2移动平台,4nm工艺,Adreno 740 GPU,伴随24GB+1TB版本的问世,提升无限可能。
拍摄领域,realme GT 5为你呈现出全新视觉世界。前置5000万像素+800万像素+200万像素,让你秒变摄影师。
手机离不开ESD的保护。手机没有安装ESD,会导致手机通话中断,屏幕异常、按键失灵,甚至触摸屏功能失效的困扰。或是提醒充电已连接、充电器已移除”。
针对手机内部ESD静电放电问题的改进建议
(1)在设计方案上考虑静电放电问题
尽量选择静电敏感度等级高的器件;器件与静电源隔离;减少回路面积(面积越大,所包含的场流量越大,其感应电流越大)。具体的措施可能包括:走线越短越好;电源与地越接近越好;存在多组电源和地时,以格子方式连接;太长的信号线或电源线必须与地线交错布置;信号线越靠近地线越好;所有的组件越近越好;同一特性器件越近越好;接地平面设计:尽量在PCB上使用完整的地平面;PCB接地面积越大越好;不要有大的缺口;PCB的接地线需要低阻抗且要有良好的隔离;电源、地布局在板中间比在四周好;在电源和地之间放置高频旁路电容;保护静电敏感的元器件。
(2)出现静电问题后的整改建议针对上述静电放电问题,需要采取以下步骤进行整改。
a)尝试直接放电和间接放电、空气放电和接触放电,确认耦合路径;
b)从不同方向放电,观察现象有何不同,确定所有的放电点和放电路径;
c)从低到高,在不同电压下进行试验,确定手机在哪个电压范围内出现不合格现象;
d)多试验几台样机,分析共性,确认失效原因;
e)根据耦合路径、不合格现象、放电路径,判断相关的敏感器件;
f)针对敏感器件制订解决方案;
g)最后我们可以通过试验验证和修正来解决相应问题。整改中具体可采用以下措施:对于机壳缝隙、按键、FPCB的问题可用介质隔离的方式来处理;对于摄像头、麦克风、听筒等问题可以通过介质隔离、加强接地等方式来处理;具有屏蔽壳的芯片可以通过加强屏蔽效果、屏蔽壳加强接地的方式来处理;对于接口电路、关键芯片的引脚,要通过使用保护器件(如TVS管,ESD防护器件)来加以保护;对于软件的故障,可以通过增加一些逻辑判断来正确检测和处理告警信息的方式来改善。
告别静电困扰,深圳知名品牌,晶扬电子自研TT0354TP-Fx超低电容,能在静电放电现象发生时,在纳秒级的时间内迅速反应,将浪涌电压瞬间抑制住,使手机内部的射频电路和/或基带电路不受静电放电影响。同时其低容值特性能够保证信号不受干扰,避免产生数据丢包,提升通话质量。晶扬电子,晶芯守护。
深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”科技企业,深圳知名品牌,广东省制造业单项冠军产品。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE,在成都和加拿大设立有研发中心,并拥有多家全资子公司和控股公司,拥有近百项有效专利等知识产权,业内著名的“电路与系统保护专家”。
针对手机,平板,计算机等高速接口USB 2.0 & USB 3.0, HDMI 1.4 等高速信号传输接口的防护;
推出新品TT0354TP-Fx和TT0354SP具有更小漏电IR 、高IPP及低钳位电压Vc的特点。
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