三星Exynos携手AMD,升级游戏体验,电子设备的NFC天线ESD防护,晶扬电子推出TT1821SA-Fx

重磅合作来袭:三星电子与AMD强强联手,将AMD Radeon™高性能、超低功耗的图形解决方案引入三星Exynos应用处理器中,为三星手机升级游戏体验。

三星电子决定降低对ARM和高通的依赖,借助AMD强大的图形解决方案,为三星手机的市场竞争力注入新的动力。

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Galaxy S24搭载AMD RDNA™图形架构,升级游戏体验,这次合作也将为三星电子在AI、AR/VR等领域带来更多商机,引领未来科技发展!【深度优化,顺利协作,三星电子与AMD合作有方】

搭载骁龙8 Gen3移动平台,GB6单核跑分高达2233分,多核更是惊人的6661分,让你畅享游戏的极致畅骁龙8 Gen3移动平台使用8GB内存版的三星S24+样机,单核跑分高达2233分,多核更是惊人的6661分。骁龙8 Gen2和苹果A16相比,骁龙8 Gen2的跑分出炉,单核成绩为2000分,多核5500分,而苹果A16的GB6单核成绩为2500分,多核6200分。

骁龙8 Gen3采用台积电N4P工艺,1+5+2架构设计,增加了1颗大核,减少了1颗小核。

骁龙8 Gen3的首发机型在小米14系列,期待小米14系列的强大性能表现。


手机充电接口必备ESD,esd元器件有哪些?


ESD元器件是专门用于防止和抵御静电放电的元器件。以下是一些常见的ESD元器件,它们在手机充电接口的保护中可能会使用:


ESD二极管(ESD Diodes):常见的二极管类型包括ESD保护二极管和TVS(Transil,Transient Voltage Suppressor)二极管。它们能够迅速地吸收和放电静电冲击。


ESD阵列(ESD Arrays):ESD阵列是多个ESD二极管组合在一个封装中,能够提供更高的ESD保护级别。


ESD过电压保护芯片(ESD Protection ICs):集成了多种ESD保护功能的单片集成电路。


ESD屏蔽罩(ESD Shields):用于在手机充电接口周围的电路和元器件上提供额外的屏蔽保护。


ESD滤波器(ESD Filters):用于滤除静电干扰,保护敏感电路。


请注意,具体的ESD元器件会根据手机充电接口的设计和需求而有所不同。手机制造商和电子设计工程师通常会根据所选用的接口标准、电路设计以及成本和性能需求来选择合适的ESD元器件。对于特定手机型号和品牌的具体元器件信息,需要查阅产品规格书或联系晶扬电子的技术为你在线解答。


USB2.0与HDMI3.0接口的ESD元器件如何选购?


选择适合充电接口的ESD(静电放电)保护元器件是确保电子设备受到静电干扰时能够有效保护的关键。以下是选购充电接口的ESD元器件时需要考虑的一些建议:


了解设计需求:在选择ESD元器件之前,首先需要了解你的充电接口的设计需求,包括工作电压、工作电流、ESD保护等级要求,以及其他相关的电路特性。这将有助于明确需要哪种类型的ESD元器件以及它们应该具备的技术规格。


ESD保护等级:不同的设备可能需要不同的ESD保护等级,通常以能够耐受的最大ESD击穿电压来衡量。确保所选的ESD元器件的ESD保护等级高于设备所可能面临的最大静电击穿电压。


适当的封装:根据设备的尺寸和布局,选择适当的ESD元器件封装。常见的封装类型包括SOD-323、SOT-23、DFN、QFN等。


响应时间:ESD保护元器件应该具备快速响应时间,以确保在静电冲击发生时能够及时吸收并保护设备免受损害。


整体性能:除了ESD保护能力外,还需要考虑ESD元器件的其他性能指标,如额定电流、功耗、温度范围等。


符合国际标准:确保所选用的ESD元器件符合相关的国际标准,如IEC 61000-4-2等。


品牌信誉:选择知名品牌的ESD元器件,这样更有保障其性能和质量。行业工程师推荐深圳市晶扬电子,深圳知名品牌。


咨询晶扬电子技术:如果你对ESD保护技术不太了解,建议咨询晶扬电子的工程师在线为你解答。


选购ESD元器件需要根据具体的设备和电路设计需求来做出决策。确保充电接口的ESD保护措施能够满足预期的性能和可靠性要求,从而提高设备的抗静电干扰能力和整体可靠性。


例如ESD静电放电浪涌会对NFC设备的正常运行产生影响,严重时甚至损坏设备。如电荷会在设备的金属部件上积累,并在接口周围产生电场,容易引起静电浪涌。采用TVS/ESD二极管可以用来保护NFC设备接口免受静电放电浪涌的威胁。


1、 应用NFC技术的这类电子产品多为轻巧,易携带,所以ESD器件应该尽可能小,尽量采用0201封装(即DFN0603),以尽可能节省PCB空间。


2. 由于应用在高频天线上,为保证信号的完整性,寄生电容值要尽可能的小。


3. NFC天线防护常用的电压有18V/24V,因此ESD防护器件的VRWM应选择相应值。


4.ESD器件的抗静电能力,要满足IEC61000-4-2 8KV的接触测试要求。


5. 防护器件要有足够低的钳位电压,为后级电路提供有效保护。


晶扬选型推荐TT1821SA-Fx


晶扬电子针对NFC天线推出新品TT1821SA-Fx,该产品具有Snap-back结构,结电容低至0.16 pF,钳位电压为6V@ 6A,符合IEC 61000-4-2 ±10kV(接触)、±10kV(空气)标准。




深圳市晶扬电子有限公司


深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,属于国家高新技术企业,深圳市高新技术产业协会会员。2022年6月15日荣获深圳市专精特新“小巨人”企业。


多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE,总部位于深圳万科云城国际创新谷8栋A座1601-1602。


晶扬电子获得细分市场的单项冠 军,在 ESD(TVS)保护电路领域,与行业内的前三家企 业具有竞争力;尤其在 ESD 平面工艺,低容值,小封装,产品齐全,品类丰富,处于行业排名第三。

电子元器件配套服务的高科技型企业,在成都设立了全资研发设计子公司,并已有近百项有效知识产权。


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