随着5G通信、人工智能以及物联网等新兴产业的蓬勃发展，基于鳍式场效应晶体管(FinFET)技术的先进工艺将逐渐被越来越多的芯片公司所采用。采用先进FinFET工艺技术可以提升芯片的集成度，缩减芯片的尺寸，同时还可以提高芯片的运算效率、降低功耗。目前业界最为领先并实现量产的就是5nm FinFET工艺技术。然而，先进的5nm FinFET工艺技术使得器件的各项参数均已接近其物理极限，如极薄的栅氧化层、超浅的源漏结深等，所有这些将会导致芯片更容易受到静电放电(ESD)事件的损伤。系统厂商在选取用于系统级防护的ESD芯片时将会有更多的考量，除了需要超低容值产品来减小高速信号的损耗和衰减，同时也需要更低的开启电压和钳位电压(Vc)，以保证在外界静电脉冲或者浪涌脉冲到达系统时，ESD芯片能够更加快速的启动响应以及提供更低的钳位保护。

▲台积电制程规划

▲英特尔制程规划

针对这一系列新的要求，目前深圳晶扬电子率先推出了业界最低开启电压的超小容值及超低Vc（钳位电压）的ESD产品——TT0214SP，专为解决5nm工艺的ESD保护问题，为更先进工艺IC产品的ESD保护提供了更可靠的解决方案。

▲TT0214SP产品特性

TT0214SP是一款DFN2510-10L的小封装四路ESD阵列型产品，容值低至0.18pf，开启电压低至3.5V（DC开启电压），带回扫特性，是目前业界带回扫特性的超小容值产品中，开启电压最低的，这样可以保护工作电压低于2V的IC产品在低压时不会被浪涌（8/20us）冲击破坏，同时遇到静电冲击时能更快的开启响应，提供全方位的保护。TT0214SP的TLP开启电压控制在4V以下，是这类型产品的业界最好水平；由于具备回扫特性，此款产品的静电Vc和浪涌Vc都非常低，在TLP=16A（8KV）时，Vc≤5V，在Ipp=4A（8/20uS）时，Vc≤2.5V。具体的TLP和浪涌曲线如下图：

此系列三款产品容值低至0.13pf，是业界最低容值产品之一，在TLP=16Ａ（8KV）时，Vc（钳位电压）≤7.5V，同样可以提供非常出色的静电保护。

TT0301NA，DFN0603-2L封装，在TLP=16Ａ（8KV）时，Vc（钳位电压）≤5.5V，同时8/20us浪涌Ipp≥10A，可以对电源起到非常好的保护。