新品上市新品TT0311SA-FX

ESD低电容发展方向

随着5G通信、人工智能以及物联网等新兴产业的蓬勃发展，半导体的制程工艺发展的越来越快，IC的敏感度也越来越高，对静电防护的需求达到了一个更高的层次。同时，在高速信号传输静电保护领域，更小的电容是一个主要的发展方向，这是因为过大的电容会引起传输过程中的信号缺失，大电容也会导致充放电时间过长降低器件的开关速度，这也就要求ESD防护器件要向低电容方向发展。

业界最低容值的单路单向深回滞ESD产品TT0311SA-Fx

晶扬电子针对 USB 3.X和USB 4.0推出业界最低容值的单路单向深回滞型ESD静电保护器-TT0311SA-Fx，具有极低的电容值0.24pF，深度折回电压达到3V，是目前业界单路单向产品中容值最低的。深回滞型ESD在电压触发后，会在瞬间降低ESD两端的钳位电压，在同样Ipp电流的情况下，深回滞型ESD的Vc钳位电压比常规的ESD器件低30%以上（目前在华为等电信设备商的测试需求中，专门强调了防静电ESD的回扫特性）。

同时，TT0311SA-Fx还具有IEC61000-4-2测试等级的空气15kV、接触14kV的静电防护能力，这些优异的性能使TT0311SA-Fx能有效的为后端IC以及整个电路提供强大的静电保护能力。

USB高速接口ESD注意事项

对于USB 3.X和USB 4.0高速接口，选择ESD/EOS保护组件时需考虑以下几点：

1、为确保通过USB 3.X和USB 4.0传递的高速信号的完整性，选择该器件时需使用具有较低电容的ESD保护器件。

2、具有较高的ESD耐电压能力，至少要承受IEC 61000-4-2中规定的8kV接触放电的ESD冲击。

3、具有较低的钳位电压，较低的钳位电压表示更好的保护性能。

LAYOUT设计时的注意事项

1.将ESD保护器件尽可能靠近I/O连接器放置，以减少ESD接地路径，提高保护性能。

2.在USB 3.X和USB 4.0 应用中，应将ESD保护器件放置在TX差分通道上的交流耦合电容器和I/O连接器之间，如此没有直流电流可以流过ESD保护器件，从而防止任何潜在的闩锁风险。

3.尽可能使用弯曲的迹线，以避免不必要的反射。

4.保持差分数据通道的正线和负线之间的走线长度相等，以避免共模噪声的产生和阻抗失配。

晶扬电子深圳运营总部

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”科技企业,深圳知名品牌,广东省制造业单项冠军产品。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE,分别在成都和加拿大设立有研发中心,并拥有多家全资子公司和控股公司,拥有近百项有效专利等知识产权,深圳知名品牌“电路与系统保护专家”。

目前晶扬电子致力于半导体工艺的保护器件、MOSFET、二三极管、电源管理IC（LDO，DC-DC）、限流IC以及段码驱动IC的研发与应用。

晶扬电子自研半导体元器件

我们是原厂研发，设计，销售电子元器件厂家，严把质量关。

我们的ESD封装最小为CSP0402，多型号任你选择。

我们是电子元器件厂家直销，现货供应。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”科技企业,深圳知名品牌,广东省制造业单项冠军产品。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE,分别在成都和加拿大设立有研发中心,并拥有多家全资子公司和控股公司,拥有近百项有效专利等知识产权,深圳知名品牌“电路与系统保护专家”。

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